Главная » 2009»Декабрь»3 » Снег в Харькове выпадет в середине декабря - прогнозирует Гидрометеоцентр.
Снег в Харькове выпадет в середине декабря - прогнозирует Гидрометеоцентр.
23:17
Через десять дней, 13-14 декабря, харьковские метеорологи ожидают первый снег, рассказала «МедиаПорту» заведующая сектором метеорологических прогнозов харьковского Гидрометцентра Евгения Ляшенко. С первых дней зимы начала устанавливаться морозная погода. Среднемесячную температуру воздуха в декабре синоптики ожидают на уровне 3-х градусов мороза. Предыдущий месяц, ноябрь, рассказывают в Гидрометцентре, оказался теплее, чем в прошлом году - на полградуса. Средняя температура ноября - +4,5. При том, что норма в этом месяце - +1. Синоптики связывают это с устойчивым теплом на протяжении всего месяца и отсутствием холодных потоков с запада. Ноябрьские осадки, говорят в Гидрометцентре, в норме - 47 миллиметров.
Частотный инвертор M800-06200330A отличается от частотного преобразователя SMC941500-P реальной номинальной мощностью преобразователя, тактовой частотой работы ШИМ контроллера, алгоритмом работы схемы самодиагностики перебоев инвертора, а также главным образом присутствием разных встроенных вспомогательных функций, доступных для программирования и выполнения специализированных задач и практически полностью заменяющих собой КИП и автоматику для осуществления автоматизированной работы основного промышленного оборудования без использования дополнительных внешних элементов таких как контроллеры, панели оператора, промышленные компьютеры. Эти факторы играют решающую роль при поиске частотного преобразователя для реализации конкретных задач.
Проверка ошибки и последующий надежный ремонт на новом оборудовании частотных преобразователей, которые произведены фирмами Данфосс, delta, vesper и другими мировыми брендами выполняется в фирме prom electric . Снятие и установка IGBT transistors, которые являются очень формирующие компоненты во всем устройстве преобразовательной техники. Отличие IGBT транзистора от модуля IGBT заключается в том, что модуль может содержать один или более IGBT транзисторов, иногда включенных параллельно по схеме составного транзистора для увеличения коммутируемой мощности, а также в некоторых случаях схему контроля. IGBT - биполярный транзистор с изолированным затвором, представляет собой мощный полупроводниковый прибор обычно используемый как электронный ключ для средних и высоких напряжений. Благодаря совмещению преимуществ биполярного транзистора и полевого транзистора достигается большая мощность коммутации и малая необходимая мощность для открытия, так как управление осуществляется не током, а разностью потенциалов, что приводит к очень высокой эффективности этих компонетов.